第845章【新城微电子半导体】 (第2/2页)

“呵呵……”
　　
　　方鸿看到这条新闻不禁笑了，自顾自地说道：“看来，多少还是有点急眼了啊，急眼就对了。”
　　
　　国产光刻机对标世界最先进水平其实还有很长的一段距离要走的，可是今年上半年以来，大基金的出现让国际上的那些厂商感觉到了“不对味儿”，他们一开始就尝试要渗透、孵化大基金的管理层。
　　
　　可他们并没有意识到，这会儿的大基金管理层团队虽然明面上和群星资本没什么关系，但实际上都是方鸿派过去的人，而结果就是他们发现渗透、孵化这一招收效甚微。
　　
　　现在大基金的前都在落地到实处，比如这主攻光刻机的新微半导体就拿了不少钱，而且昨天借壳上市又向资本市场要了105个亿，几乎提供了花不完的钱。
　　
　　拿了那么多的钱，基本都砸到研发项目里。
　　
　　目前新微半导体同时在搞三代光刻机，因为光刻机的研发生产并不需要由低到高、循序渐进，是可以平行研发的，所以新微半导体直接起了三个团队并行研发。
　　
　　这三个团队分别攻关第四代ArF光刻机，第五代ArFi光刻机，以及第六代极紫外光EUV光刻机。
　　
　　第四代的ArF光刻机与第三代KrF原理一样，但光源升级，采用193nm光源的光刻机，这两种称之为DUV光刻机。
　　
　　而第五代ArFi光刻机，采用的也是193nm光源，但这种又与ArF不一样，之前所有的光刻机其介质采用的是空气，但到了ArFi光刻机时，采用的是水。
　　
　　光线在经过水时，会有折射，所以虽然ArFi光刻机采用193nm波长光源，经水折射时，等效于134nm波长的光源，所以这种光刻机，叫做浸润式光刻机。
　　
　　说起来，曾经业界光刻机技术停止了很多年，尼康、佳能想把光源从193nm升级为165nm，但好多年没成功。
　　
　　而抬积电提出来用水作介质，就跳过157nm，变成143nm了。
　　
　　尼康、佳能很傲慢，不理抬积电，那时候ASML只是个小厂，也敢于一试，最后就搏出了ASML的未来，研发出了ArFi浸润式光刻机，然后打得尼康、佳能一败涂地，成就了今天的行业地位。
　　
　　而第六代EUV光刻机，采用的则是13.5纳米的极紫外线光源了，这种光刻机目前全世界都没有搞出来，ASML也一样，针对的事7纳米制程级别的芯片制造，而当前世界最先进的制程是在14纳米这一阶段。
　　
　　可以确定的，整合国内光刻机产业链的新微半导体，其技术水平就是代表了目前国产技术的最高水平，现在是把所有的相关资源都砸在了新微半导体身上，由该公司对光刻机展开全力攻克任务。
　　
　　像G线、I线国内都有了，KrF也有了，就是新微半导体突破的。
　　
　　目前在攻克的ArF光刻机也已经快要突破了，并且正在全力死磕ArFi光刻机，同时对于极紫外光刻EUV的研究也有团队在展开论证。
　　
　　各代的光刻机开发团队并行展开，同时也相互交流。
　　
　　现在的新微半导体是要钱有人给钱，要人才方鸿这边到处给他找，而且因为老美对技术、元件等进行了封锁，在很大程度上非但没有击垮，反而因为外部的压力促使内部变得更加团结一致死磕。
　　
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